东芝推出适用于车载牵引逆变器的最新款1200V SiC MOSFET
据EEPW报道,东芝电子元件及存储装置株式会社宣布,最新开发出一款用于车载牵引逆变器的裸片1200 V碳化硅(SiC)MOSFET“X5M007E120”,其创新的结构可实现低导通电阻和高可靠性。其嵌入的SBD采用格纹形态排列,没有采用常用的条形形态,这种排列可高效抑制器件体二极管的双极通电,而且即便占用相同的SBD挂载面积,也能将单极工作的上限提升到大约两倍的当前面积。也可针对条形阵列提高通道密度,而且单位面积的导通电阻很低,大约降低了20%至30%。这一提高的性能、低导通电阻以及针对反向导通工作保持的可靠性,可节省用于电机控制的逆变器的电能,例如牵引逆变器。